X-Fab开发SOI槽形隔离技术 
出自：SEMI 
据EE Times网站报道，硅晶元代工专家X-Fab Semiconductor Foundries AG近期宣布，开发出一项新的0.6微米的基于槽形隔离技术的CMOS工艺。
该公司表示，此项技术——XT06将主要面向于汽车电子、光学以及其他相关领域。XT06技术将使功率控制电路、智能电动机控制电路和D级的音频放大器电路中的混频信号的设计成为可能。
XT06的“自由电势”设计可以让设计者通过沟槽隔离各个区域，然后向每个区域添加不同的电压。基于一个5V的CMOS核心，XT06与X-Fab的XC06的模块混频技术是兼容的。使得MOS晶体管的击穿电压达到110V。 

背景：XFAB在今年正式推出SOI 0.6微米工艺技术。

关键字：silicon-on-insulator (SOI) 
相关链接（英文）：
http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=188501215

附上英文原文：
X-Fab rolls SOI, trench process
Mark LaPedus   
EE Times 
(05/30/2006 2:45 H EDT)  

SAN JOSE, Calif. — Silicon foundry specialist X-Fab Semiconductor Foundries AG has rolled out a new, 0.6-micron silicon-on-insulator (SOI) CMOS process with a trench isolation technology. 
The technology, dubbed XT06, is aimed for power management, automotive, optical, industrial and other applications, according to X-Fab (Erfurt, Germany). 

“The XT06 SOI benefits create mixed-signal circuit design possibilities for power management, smart motor control, and ClassD audio amplifier applications where bulk CMOS technologies are insufficient," said Jens Kosch, chief technical officer at X-Fab, in a statement. 

The "potential-free" design of XT06 lets designers isolate certain areas using the trenches and apply any voltage level to those islands. Based on a 5-Volt CMOS core, the XT06 is compatible with X-Fab’s XC06 modular mixed-signal technology. MOS transistors are available with breakdown voltages up to 110V.